科学技術研究費助成事業・基盤研究（S）
研究領域　理工系（総合理工）
研究題目：原子層物質におけるバレースピンフォトニクスの創生と応用

研究代表者：松田一成
研究期間：2016年度〜2020年度

遷移金属ダイカルコゲナイドなどの原子層物質を舞台に、バレースピンが関与した特異な量子光学現象の解明・光学技術を駆使したバレースピン制御を目指します。さらに、原子層物質の特徴である室温での量子効果を利活用しながら、「原子層物質によるバレースピンフォトニクス」という研究分野を開拓し、光科学・物質科学の発展に資します。