中赤外自由電子レーザーを使って Gd3Al2Ga3O12:Ce 結晶中の隠れた電子トラップ 準位を可視化する

Research

2018.1.19付け、M. Kitaura, H. Zen, K. Kamada, S. Kurosawa, S. Watanabe, A. Ohnishi, K. Hara らの研究 「Visualizing Hidden Electron Trap Levels in Gd3Al2Ga3O12:Ce Crystals Using a Mid-Infrared Free Electron Laser」 が論文誌 Applied Physics Letters に掲載されました。
DOI: 10.1063/1.5008632
エネルギー生成研究部門 量子放射エネルギー研究分野

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自由電子レーザーの中赤外光パルスの光子エネルギーが0.31 eVを越えるとCe3+イオンからの輝尽発光が急激に強められる。この結果から電子トラップ準位が伝導帯から0.31eVだけ下に隠れていることを示す。この研究は中赤外自由電子レーザーが隠れた電子トラップの探索に利用できることを示すものである。

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